ITEM METADATA RECORD
Title: ESD Protection for Multiple Gate Field Effect Devices and for RF CMOS Circuits (ESD bescherming voor meervoudige gate veld effect structuren en voor RF CMOS circuits)
Other Titles: ESD Protection for Multiple Gate Field Effect Devices and for RF CMOS Circuits
Authors: Thijs, Steven; S0040410
Issue Date: 15-Sep-2009
Abstract: Het continu schalen van CMOS technologieën maakt het steeds meer uitdagend om geschikte bescherming te voorzien tegen Elektrostatische Ontladingen (ESD). Door het dunner worden van de gate-oxides worden deze meer kwetsbaar voor ESD gebeurtenissen, zelfs zodanig dat traditionele oplossingsmethoden niet meer bruikbaar worden. Momenteel zijn zowel planaire als finfet structuren geschikte mogelijkheden voor de 45 nm CMOS technologie-node en hier voorbij. De ESD-sterkte van standaard en nieuw ontwikkelde beschermingsstructuren moet daarom onderzocht worden. TCAD simulaties zullen uitvoerig gebruikt worden om dieper inzicht te krijgen in de fysische werking van deze structuren. ESD compacte modellen zullen opgesteld worden en vervolgens gebruikt in circuitontwerp met ESD bescherming.
Publication status: published
KU Leuven publication type: TH
Appears in Collections:ESAT - MICAS, Microelectronics and Sensors

Files in This Item:
File Status SizeFormat
PhD_StevenThijs_BW.pdf Published 9024KbAdobe PDFView/Open Request a copy

These files are only available to some KU Leuven Association staff members

 




All items in Lirias are protected by copyright, with all rights reserved.