ESD Protection for Multiple Gate Field Effect Devices and for RF CMOS Circuits (ESD bescherming voor meervoudige gate veld effect structuren en voor RF CMOS circuits)
Author:
Abstract:
Het continu schalen van CMOS technologieën maakt het steeds meer uitdagend om geschikte bescherming te voorzien tegen Elektrostatische Ontladingen (ESD). Door het dunner worden van de gate-oxides worden deze meer kwetsbaar voor ESD gebeurtenissen, zelfs zodanig dat traditionele oplossingsmethoden niet meer bruikbaar worden. Momenteel zijn zowel planaire als finfet structuren geschikte mogelijkheden voor de 45 nm CMOS technologie-node en hier voorbij. De ESD-sterkte van standaard en nieuw ontwikkelde beschermingsstructuren moet daarom onderzocht worden. TCAD simulaties zullen uitvoerig gebruikt worden om dieper inzicht te krijgen in de fysische werking van deze structuren. ESD compacte modellen zullen opgesteld worden en vervolgens gebruikt in circuitontwerp met ESD bescherming.