ITEM METADATA RECORD
Title: Study of Scanning Spreading Resistance Microsopy on InP-based Materials and Devices
Other Titles: Studie van structuren gebaseerd op InP met scanning spreading resistance microscopie.
Authors: Xu, Mingwei; S0007631
Issue Date: 21-Apr-2005
Abstract: Door de noden van hoge snelheid telecommunicatie hebben InP-gebaseerde structuren een snelle ontwikkelin g doorgemaakt en de laatste jaren wereldwijde aandacht gekregen. Dankzij d e grote inspanningen van onderzoek en ontwikkeling ingenieurs kunnen gecomplicee rde InP structuren met een optimale werking gemaakt worden. De doperingsprofiele n en ladingsverdelingen van deze elektrische structuren zijn, door hun twee-dimensionaal (2D) karakter, echter zeer moeilijk te karakteriseren met de conventionele een-dimensionale (1D) en twee-dimensionale (2D) meettechni eken. Om te voldoen aan de eisen gesteld aan de analyse technieken om InP structuren te bestuderen, stellen we in deze thesis voor gebruik te maken van een nieuwe 2D profileringtechniek, name lijk Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM). SSRM werd recent ontwik keld voor het bepalen van 2D ladingsverdelingen in Si gebaseerde transistoren . De SSRM techniek is een combinatie van de spreidingweerstandsmeting technie k (SRP) en de atomaire kracht microscoop (AFM). Deze laatste techniek geeft de mogelijkheid twee-dimensionale informatie te bepalen met een zeer hoge ruimtelijke resolutie. In dit werk bestuder en we de experimentele aspecten van SSRM op InP en optimaliseren we de meetpro cedure, waarbij nieuwe fenomenen opgemerkt en uitgelegd worden. Verder ontwikkel en we een aangepast puntcontact model voor SSRM op InP dat een goede overeenko mst vertoont met de experimentele data. Anders dan bij spreidingsweerstandsm etingen (SRP) is de niet lineaire puntcontact weerstand een dominante factor voo r SSRM op InP, die we modelleren door het tunnelmechanisme door een metaal-halfgeleider interfase in rekening te brengen. Verder wordt de un ieke toepassing van SSRM aangetoond met een paar case studies, waarvan de resultaten worden vergeleken met andere 2D profileringtechnieken. Uiteindelijk wordt SSRM met succes toegepast op InP om accurate 2D profilering te bekomen. Samen met het nieuwe puntcontact model legt dit de transporteigenschappe n in InP uit.
Publication status: published
KU Leuven publication type: TH
Appears in Collections:Nuclear and Radiation Physics Section
Electrical Engineering - miscellaneous

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

Request a copy

 




All items in Lirias are protected by copyright, with all rights reserved.