ITEM METADATA RECORD
Title: TXRF verzadigingseffecten in atomaire contaminatie-analyse voor geavanceerde micro-electronica toepassingen
Other Titles: TXRF saturation effects in atomic contamination analysis for advanced micro-electronic devices
Authors: Hellin, David; M9606640
Issue Date: 8-Mar-2005
Abstract: De beheersing van metaalonzuiverheden wordt beschouwd als een sleutelele ment in de productie van micro-elektronische toepassingen. Deze activite it wint nog aan belang bij het onderzoek naar toekomstige technologieën, aangezien deze technologieën de introductie van nieuwe metaalhoudende m aterialen vragen. Het doel van dit proefschrift is te voorzien in gevali deerde methoden voor de analyse van metaalonzuiverheden op de halfgeleid ersubstraten silicium en germanium en op/in lagen van hoogdiëlectrisch m ateriaal uit SiO2, ZrO2 en HfO2. De studie is gebaseerd op het gebruik v an de techniek van totale reflectie X-stralen fluorescentie spec trometrie (TXRF). Naast de gevoelige analyse van nieuwe materialen wo rdt er tevens geconcentreerd op de bovenlimieten binnen deze toepassinge n. Bij de toepassing van de TXRF techniek op nanometer-dunne lagen van diël ectrisch materiaal werd bevonden dat hoekafhankelijke – TXRF accuraat is voor de bepaling van de bedekking van de lagen op het substraat. Maar v oor de analyse van onzuiverheden in deze lagen dient in de conventionele TXRF methode gecorrigeerd te worden voor systematische fouten geïnducee rd door het uitdovend golfveld. In een validatiestudie voor het gebruik van preconcentratiemethoden in c ombinatie met de TXRF techniek voor de analyse van silicium- en germaniu msubstraten werd een ernstige beperking vastgesteld. Een systematische a fname van de TXRF accuratesse werd bevonden als functie van de metaalinh oud in het droogresidu van een microdruppel. Een significante onderschat ting start al bij metaalgehaltes die relatief laag zijn ten opzichte van de specificatielimieten voor de onzuiverheidsbeheersing: boven een geha lte van 3E13-1E14 metaalatomen in het residu. Het verzadigingseffect wor dt goed verklaard door een analytisch model dat zich baseert op de absor ptie van X-stralen in het residu. Verder werden in deze thesis verscheid ene methoden om met TXRF verzadigingseffecten om te gaan geëvalueerd. Hi erbij blijkt een correctieve aanpak, met inbegrip van de aanvaarde metho de van interne standaardisatie, niet geschikt te zijn voor de stalen uit het domein van de micro-elektronica. In de plaats daarvan werd een nieu we staalvoorbereidingsmethode voorgesteld om het dynamisch bereik van TX RF op druppelresiduen te vergroten. Zo zullen deze onderzoeksresultaten de beheersing over metaalonzuiverheden helpen te verzekeren ten gunste v an de micro-elektronicatechnologieën van de toekomst.
Publication status: published
KU Leuven publication type: TH
Appears in Collections:Molecular Design and Synthesis

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

Request a copy

 




All items in Lirias are protected by copyright, with all rights reserved.