ITEM METADATA RECORD
Title: Copper Resistivity and Grain Growth in Reduced Dimensions (Weerstand van koper en korrelgroei in kleinere afmetingen)
Other Titles: Copper Resistivity and Grain Growth in Reduced Dimensions
Authors: Zhang, Wenqi; M0229928
Issue Date: 19-Oct-2006
Abstract: WEERSTAND VAN KOPER EN KORRELGROEI IN KLEINERE AFMETINGEN Samenvatting De verkleining van dimensies van koper verbindingen verhoogt de latentie en het vermogen verbruik ten gevolge van weerstand-capaciteits (RC) koppeling significant. Bovendien worden fundamentele en praktische limieten, zoals bijvoorbeeld het dimensioneel effect, benaderd voor afmetingen van verbindingen in het nanometer regime. Het dimensioneel effect omvat enkele elektron verstrooiing mechanismen, zoals oppervlakte en korrelgrens verstrooiing, die worden toegevoegd aan de klassieke elektron-fonon verstrooiing in bulk materialen. Dit lijd tot een opvallende verhoging van de intrinsieke weerstand van koper verbindingsdraden in kleine afmetingen. Het is daarom cruciaal om een diepgaande kennis van deze fundamentele fenomenen te vergaren om de verbinding RC vertraging te verlagen.Dit doctoraat legt zich toe op het bediscussiëren van de aspecten die cruciaal zijn voor de intrinsieke weerstand van koper and voor korrelgroei in dunne lagen en nanodraden. Een meer gedetailleerd begrip van de dynamica van korrelgroei en onzuiverheids incorporatie is verkregen. Er wordt getoond dat koper korrelgroei in kleine afmetingen wordt vertraagd als gevolg van onzuiverheids incorporatie en geometrische beperkingen (2-dimensionale beperking in smalle koperdraden en 1-dimensionale voor dunne lagen). Ingroei van de koper toplaag kan korrelgroei in smalle draden echter verbeteren, vooral als deze dun zijn. Inzake de oorzaak van de waargenomen verhoging van de intrinsieke koper weerstand kon worden onthuld dat oppervlakte verstrooiing het dominante verstrooiing mechanisme is in voldoende opgewarmde smalle koperdraden, zelfs terwijl de verschillende fysische effecten eenzelfde geometrische afhankelijkheid vertonen. Korrelgrens verstrooiing, aan de andere kant, zal een belangrijke bijdrage leveren als koper korrelgroei gehinderd wordt door onzuiverheden of geometrische beperkingen, in het bijzonder voor dunnen lagen. Verder wordt voor koperdraden met een constante hoogte een lineair verband tussen de intrinsieke koper weerstand en 1/breedte (w) of 1/doorsnede (A), namelijk (or ), uit de klassieke oppervlakte en korrelgrens verstrooiing modellen afgeleidt en experimenteel gevalideerd. Dit werk stelt ons ook in staat om de intrinsieke koper weerstand in nanodraden te modelleren en te zoeken naar een toegankelijke oplossing om de verhoging van de intrinsieke koper weerstand en de daaraan gerelateerde verbinding RC vertraging te verminderen.
Publication status: published
KU Leuven publication type: TH
Appears in Collections:Associated Section of ESAT - INSYS, Integrated Systems

Files in This Item:

There are no files associated with this item.

Request a copy

 




All items in Lirias are protected by copyright, with all rights reserved.